求教,LED正装和倒装的原理和区别? led正倒装区别

时间:2022-01-28 17:41:26 作者:admin 21247
led正倒装区别

求教,LED正装和倒装的原理和区别?

正装结构,上面通常涂敷一层环氧树脂,下面采用蓝宝石为衬底,电极在上方,从上至下材料为:P-GaN、发光层、N-GaN、衬底。正装结构有源区发出的光经由P型GaN区和透明电极出射,采用的方法是在P型GaN上制备金属透明电极,使电流稳定扩散,达到均匀发光的目的。倒装芯片(filp chip)技术,是在芯片的P极和N极下方用金线焊线机制作两个金丝球焊点,作为电极的引出机构,用金线来连接芯片外侧和Si底板。LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。这样大功率LED产生的热量不必经由芯片的蓝宝石衬底,而是直接传到热导率更高的硅或陶瓷衬底,再传到金属底座。制作方式:制备具有适合共晶焊接的大尺寸LED芯片,同时制备相应尺寸的硅底板,并在其上制作共晶焊接电极的金导电层和引出导电层(超声波金丝球焊点)。然后,利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊在一起。(1).固晶:正装小芯片采取在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片,而倒装芯片多采用导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连,且本身支架基座通常为导热系数较高的铜材;(2).焊线:正装小芯片通常封装后驱动电流较小且发热量也相对较小,因此采用正负电极各自焊接一根φ0.8~φ0.9mil金线与支架正负极相连即可;而倒装功率芯片驱动电流一般在350mA以上,芯片尺寸较大,因此为了保证电流注入芯片过程中的均匀性及稳定性,通常在芯片正负级与支架正负极间各自焊接两根φ1.0~φ1.25mil的金线;(3).荧光粉选择:正装小芯片一般驱动电流在20mA左右,而倒装功率芯片一般在350mA左右,因此二者在使用过程中各自的发热量相差甚大,而现在市场通用的荧光粉主要为YAG, YAG自身耐高温为127℃左右,而芯片点亮后,结温(Tj)会远远高于此温度,因此在散热处理不好的情况下,荧光粉长时间老化衰减严重,因此在倒装芯片封装过程中建议使用耐高温性能更好的硅酸盐荧光粉;(4).胶体的选择:正装小芯片发热量较小,因此传统的环氧树脂就可以满足封装的需要;而倒装功率芯片发热量较大,需要采用硅胶来进行封装;硅胶的选择过程中为了匹配蓝宝石衬底的折射率,建议选择折射率较高的硅胶(

声明:本文内容由互联网用户自发贡献自行上传,本网站不拥有所有权,未作人工编辑处理,也不承担相关法律责任。如果您发现有涉嫌版权的内容,欢迎发送邮件进行举报,并提供相关证据,工作人员会在5个工作日内联系你,一经查实,本站将立刻删除涉嫌侵权内容。

相关推荐